REDE EQUIVALENTE A TRANSISTOR MOS COM BAIXO LIMIAR DE SATURAÇÃO
limiar de saturação do MOSFET, espelho de corrente cascode, projeto de circuitos analógicos em tecnologia CMOS
Este trabalho apresenta uma rede de quatro transistores MOS, que é aproximadamente equivalente a um de seus transistores, mas que apresenta tensão de saturação mais baixa. Características DC corrente-tensão de seis exemplos da rede e do respectivo transistor que ela pretende substituir, tanto com transistores canal N como com transistores canal P, são analisadas por simulação no software SMASH utilizando o modelo BSIM para uma tecnologia CMOS 130 nm com alimentação de 1,2 V. Os resultados de simulação revelam reduções no limiar de saturação da ordem de algumas centenas de milivolts para a maior parte dos casos. Uma montagem com protótipos discretos permite observar a operação da rede também por meio da medição de características DC corrente-tensão, mostrando a validade do conceito. A rede proposta é adequada para substituir transistores de saída em espelhos de corrente cascode em tecnologia CMOS, de modo que a baixa condutância de saída seja alcançada, com um aumento na excursão da tensão de saída. Esta afirmação é embasada em resultados de simulação de espelhos Widlar, cascode e cascode com um transistor substituído pela rede, também conduzidas neste trabalho. Tais resultados mostram também que o espelho cascode modificado pode preservar outras características do espelho cascode tradicional, como o erro de descasamento DC e a largura de banda, sem significativo aumento da potência dissipada e ao custo de um aumento da área ativa não superior a duas vezes.