Banca de DEFESA: ELIANA SILVA DOS SANTOS

Uma banca de DEFESA de MESTRADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE : ELIANA SILVA DOS SANTOS
DATA : 17/12/2020
HORA: 09:00
LOCAL: Virtual
TÍTULO:

MELHORIAS NO PROJETO DO TRANSISTOR DE BAIXA TENSÃO DE LIMIAR DE SATURAÇÃO

PALAVRAS-CHAVES:

saturação do MOSFET, tensão de limiar de saturação, metodologia de projeto em tecnologia CMOS

PÁGINAS: 74
RESUMO:

Este trabalho apresenta uma metodologia para dimensionar adequadamente o LSOT (Low Saturation Onset Transistor: transistor de baixa tensão de limiar de saturação). O LSOT é uma rede de quatro transistores concebida para substituir um transistor MOS, porém com tensão de limiar de saturação bem mais baixa, graças à compensação da componente de saturação reversa da corrente do transistor principal. O transistor principal deve ter as dimensões do dispositivo que ele deve substituir e, teoricamente, o transistor de compensação deveria ser igual. No entanto, a degradação da mobilidade pelo campo elétrico transversal e outros efeitos de segunda ordem levam à sobrecompensação de corrente, fazendo com que a característica de saída DC apresente uma inflexão indesejável. Um procedimento sistemático para o dimensionamento do transistor de compensação é, então, proposto, visando suavizar a característica corrente-tensão do LSOT. São também sugeridas diretrizes para o dimensionamento dos outros dois transistores, e são experimentadas pequenas modificações na topologia do LSOT, com o objetivo de otimizar a potência e a área do circuito. Finalmente, é analisado o potencial de aplicação do LSOT na substituição de um dos transistores de saída do espelho de corrente cascode regulado. Todos os circuitos foram testados por meio de uma ferramenta de simulação.

MEMBROS DA BANCA:
Presidente - 287307 - ANA ISABELA ARAUJO CUNHA
Interno - 1554822 - EDSON PINTO SANTANA
Interno - 288125 - ROBSON NUNES DE LIMA
Externo ao Programa - 3030290 - MAICON DEIVID PEREIRA
Externo à Instituição - PAULO MÁRCIO MOREIRA E SILVA