Banca de DEFESA: JHON ELBER LEON PADILLA

Uma banca de DEFESA de DOUTORADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE : JHON ELBER LEON PADILLA
DATA : 20/07/2021
HORA: 09:00
LOCAL: ConferênciaWeb https://conferenciaweb.rnp.br/webconf/ppgfisdefesas
TÍTULO:

TENSOR GIROMAGNÉTICO EFETIVO PARA ELÉTRONS EM MULTICAMADAS SEMICONDUTORAS

PALAVRAS-CHAVES:

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PÁGINAS: 98
RESUMO:

Um  pilar  para  o  desenvolvimento  de  dispositivos  spintrônicos  e  materiais  topológicos,  a engenharia  do  fator  g  eletrônico  ainda  se  baseia  extensivamente  na  manipulação  do  fator g efetivo no cristal volumétrico (ou  bulk ), cujo valor é fortemente dependente do  gap fundamental do material. Por exemplo, ligas semicondutoras III-V de gap estreito com grande  fator  g  efetivo  são  peças  fundamentais  de  nanoestruturas  promissoras  na  busca por férmions de Marajora. No entanto, outro mecanismo de renormalização torna-se relevante em nanoestruturas semicondutoras, devido ao confinamento quântico mesoscópico. Quando comparado com os efeitos de bulk, esse confinamento introduz anisotropias extras que transformam fatores escalares g em tensores. Os detalhes deste dito processo de  renormalização  mesoscópica  não  são  totalmente  compreendidos  e  constituem  um  tópico  atual  de  pesquisa  fundamental  e  aplicada  em  física  da  matéria  condensada.  Aqui nós investigamos e analisamos teoricamente os diferentes mecanismos de renormalização, de  bulk,  de  interface,  de  assimetria  de  inversão  de  estrutura  e  de  tunelamento  quântico, do fator g eletrônico em multicamadas semicondutoras III-V. Considerando campos magnéticos  aplicados  longitudinal  e  transversalmente,  obtemos  os  fatores  g  correspondentes usando  a  teoria  de  perturbação  de  primeira  ordem  dentro  de  um  formulação  analítica precisa, com base na aproximação da função de envelope e no modelo de Kane 8 x 8 k.p para o bulk. O tensor-g (ou seja, componentes longitudinais e transversais) e a anisotropia  correspondente  são  analisados  ao  longo  do  espaco  inteiramente  abrangido  pelos  dois parâmetros estruturais, ou seja, a espessura das camadas ativas e a espessura da barreira de tunelamento (entre as camadas ativas). Seguindo tal prescriçãao, considerando as multicamadas baseadas em InGaAs, InAs e InSb, investigamos a dependência dos resultados obtidos com a estrutura de bandas do bulk e estudamos a sintonia fina das componentes do tensor g efetivo com os parâmetros estruturais. Analisamos o regime de camadas ativas ultrafinas fortemente interagentes e, em particular, o papel desempenhado pela assimetria de  inversão  de  estrutura,  que  leva  à  inversão  do  sinal  de  anisotropia  do  fator  g  em  um regime  próximo  ao  confinamento  crítico  (limite  permitido  para  estados  ligados),  e  sua dependência com a posição do centro da órbita ciclotrônica. Consistente em todo o espaço de  parâmetros,  o  formalismo  apresentado  abre  um  caminho  para  a  nanoengenharia  de spin, permitindo um cálculo simples e uma interpretação física transparente do fator g de nanoestruturas.

MEMBROS DA BANCA:
Externo à Instituição - GUILHERME MATOS SIPAHI
Externo à Instituição - JOSE FERNANDO DINIZ CHUBACI
Presidente - 664720 - ANTONIO FERREIRA DA SILVA
Interno - 1194645 - FREDERICO VASCONCELOS PRUDENTE
Interno - 1194490 - IURI MUNIZ PEPE